发明专利:
1. 基于一维纳米材料的光电转换器件
上海交通大学
张亚非; 陈长鑫; 刘丽月
公开日期: 2009-06-10 申请日期: 2007-03-13 公开号: CN100499178C
2. 机械剪切一维纳米材料的方法
UNIV SHANGHAI JIAOTONG
YAFEI ZHANG; LIYUE LIU
公开日期: 2008-08-20 申请日期: 2006-10-26 公开号: CN100411742C
3. 由碳纳米管构成沟道的多沟道场效应晶体管的制造方法
上海交通大学
刘丽月; 陈长鑫; 张亚非
公开日期: 2008-02-06 申请日期: 2005-03-17 公开号: CN100367480C
4. 基于一维纳米材料的光电转换器件
上海交通大学
张亚非; 陈长鑫; 刘丽月
公开日期: 2007-08-22 申请日期: 2007-03-13 公开号: CN101022137A
5. 基于一维纳米材料的光电转换器件
上海交通大学
张亚非; 陈长鑫; 刘丽月
公开日期: 2007-08-22 申请日期: 2007-03-13 公开号: CN101022137A
6. 机械剪切一维纳米材料的方法
上海交通大学
张亚非; 刘丽月
公开日期: 2007-06-06 申请日期: 2006-10-26 公开号: CN1974020A
7. 机械剪切一维纳米材料的方法
上海交通大学
张亚非; 刘丽月
公开日期: 2007-06-06 申请日期: 2006-10-26 公开号: CN1974020A
8. 碳纳米管构成多沟道场效应晶体管的方法
上海交通大学
陈长鑫; 张亚非; 刘丽月
公开日期: 2005-11-16 申请日期: 2005-03-17 公开号: CN1697146A
9. 碳纳米管构成多沟道场效应晶体管的方法
上海交通大学
张亚非; 陈长鑫; 刘丽月
公开日期: 2005-11-16 申请日期: 2005-03-17 公开号: CN1697146A