研究方向：
氧化物电致变色薄膜制备及器件开发
太阳电池用透明导电薄膜制备
宽禁带半导体功能薄膜微细加工技术研究
发明专利：
任洋、赵高扬、王秋红、高赟.一种纳米晶增强氧化钨电致变色薄膜及其制备方法.中华人民共和国，发明专利、授权专利号ZL 201510358853.7
任洋、赵高扬、王秋红、李颖.一种纳米晶掺杂氧化钨电致变色薄膜图形的制备方法.中华人民共和国，发明专利、授权专利号ZL 201510358852.2
任洋、周晓歌、赵高扬.一种绒面透明导电薄膜及其制备方法.中华人民共和国，发明专利、授权专利号ZL 201711162186.0
任洋、王秋红、周晓歌、赵高扬.一种原位结晶的锡掺杂氧化铟纳米晶薄膜的制备方法.中华人民共和国，发明专利、授权专利号ZL 201711181550.8
任洋、周晓歌、赵高扬.一种复层电致变色薄膜及其制备方法.中华人民共和国，发明专利、授权专利号ZL 201711356357.3
科研项目：
国家自然科学基金（青年项目）——氧化钨/导电氧化物纳米阵列复合膜制备及电致变色效应研究项目负责人
陕西省自然科学基础研究计划（一般项目）——导电纳米晶-氧化钨复合薄膜制备研究项目负责人
陕西省重点实验室研究计划项目——高取向绒面透明导电薄膜制备及过渡层对其雾度影响研究项目负责人
国家自然科学基金（面上基金项目）——铁电/超导异质结制备及其交互作用研究参与人
任洋
陕西省
研究领域：
研究方向：
氧化物电致变色薄膜制备及器件开发
太阳电池用透明导电薄膜制备
宽禁带半导体功能薄膜微细加工技术研究
所在单位：
西安理工大学
