张曙光 副教授 博士 广东省 研究领域: 研究方向: 新型半导体材料与器件 所在单位: 华南理工大学

基本信息

所在单位:
华南理工大学
机构细分:
材料科学与工程学院
单位类型:
高等院校
职务:
副教授
职称:
副教授
最高学历:
博士
教育经历:
2004/09~2008/06 北京科技大学 材料科学与工程学院 工学学士  
2008/09~2013/07 中国科学院大学 半导体研究所 工学博士
工作经历:
2013/07~至今 华南理工大学 材料科学与工程学院 讲师,副教授  
2016/12~2017/12 美国佐治亚理工学院 访问学者
专家介绍:
张曙光,长期致力于半导体材料与新型光电器件研究,具体包括新型半导体发光与显示器件,钙钛矿材料及光电器件,光电信息存储器等。先后主持/参与国家自然科学基金项目,广东省自然科学基金,广东省重点研发计划,广州市科技计划等多项国家与省部级科研项目。迄今在Adv. Mater., J. Mater. Chem. A, Small, J. Am. Chem. Soc., Appl. Phys. Lett. 等期刊发表SCI论文40余篇。长期担任J. Mater Chem. A, Nano Letters, Nanoscale,Appl. Phys. Lett. 等期刊的特邀审稿人;申请国家发明专利70项,PCT专利5项,获得授权专利近30项;研究成果获得广东省技术发明二等奖,中国科学院院长奖,北京市优秀毕业生,中国科学院大学优秀毕业生等荣誉称号。

科研能力

研究方向:
新型半导体材料与器件
英文标签:
Stability;Ingan Nanorods;Morphology;Phase Distribution;Perovskite;Block Copolymers;Nanoreactors;Quantum Dots;Graphene;Composition
发明专利:
1. 一种InGaN基宽光谱探测器及其制备方法与应用
华南理工大学
李炳泽; 张曙光
公开日期: 2025-03-28 申请日期: 2025-02-28 公开号: CN119730473A

2. 生长在GaAs(115)A衬底上的多层InGaAs量子点层
华南理工大学
张曙光; 温雷; 谭毅瑛; 娄金城
公开日期: 2024-07-12 申请日期: 2023-05-23 公开号: CN221319865U

3. 一种三(4-吗啉基)氧化膦掺杂的准二维钙钛矿薄膜及其制备方法与在发光器件中的应用
华南理工大学
张曙光; 谭毅瑛; 诸葛有强; 娄金城; 彭俊彪
公开日期: 2022-12-06 申请日期: 2022-08-01 公开号: CN115440918A

4. 一种表面等离子激元协同增强的准二维钙钛矿发光二极管及其制备方法
华南理工大学
张曙光; 诸葛有强; 谭毅瑛; 彭俊彪
公开日期: 2022-01-25 申请日期: 2021-09-17 公开号: CN113972329A

5. 一种基于三羟甲基丙烷三丙烯酸酯掺杂的准二维钙钛矿薄膜及其制备方法与发光二极管
华南理工大学
张曙光; 诸葛有强; 谭毅瑛; 彭俊彪
公开日期: 2022-01-21 申请日期: 2021-09-27 公开号: CN113956866A

6. 一种LED倒装芯片的封装工艺
东莞中之光电股份有限公司
尹梓伟; 刘智崑; 张万功; 张曙光; 郭康贤; 李国强; 王文樑
公开日期: 2020-12-01 申请日期: 2018-09-03 公开号: CN109244218A

7. HETEROJUNCTION SOLAR CELL WITH HOLE TRANSPORT LAYER AND PREPARATION METHOD THEREOF
SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
Shuguang ZHANG; Lei WEN; Zhenzhu XU; Yuefeng YU
公开日期: 2020-06-18 申请日期: 2019-12-13 公开号: US20200194700A1

8. GaAs thin film grown on Si substrate, and preparation method for GaAs thin film grown on Si substrate
SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
Lei Wen; Guoqiang Li; Jingling Li; Fangliang Gao; Shuguang Zhang
公开日期: 2020-01-21 申请日期: 2016-08-18 公开号: US10541133B2

9. 一种多组分梯度能级核壳结构量子点及其制备方法
华南理工大学
彭俊彪; 宁洪龙; 王磊; 王丹; 李丹阳; 兰林锋; 徐苗; 姚日晖; 张曙光; 李海洋
公开日期: 2020-01-17 申请日期: 2019-10-15 公开号: CN110699066A

10. 生长在Al衬底上的InGaN纳米柱
华南理工大学
张曙光; 温雷; 余粤锋; 李国强; 徐珍珠; 高芳亮
公开日期: 2019-06-18 申请日期: 2018-09-29 公开号: CN209000923U

11. 一种低温下生长GaAs纳米线的方法
华南理工大学
张曙光; 林早阳
公开日期: 2019-05-24 申请日期: 2018-12-14 公开号: CN109801835A

12. 一种等离激元增强p型磷化铟/n型二硫化钼异质结太阳电池及其制备方法
华南理工大学
张曙光; 温雷
公开日期: 2019-05-17 申请日期: 2018-12-13 公开号: CN109768112A

13. 一种LED倒装芯片封装工艺
东莞中之光电股份有限公司
张万功; 尹梓伟; 李国强; 张曙光; 刘智崑; 王文樑; 郭康贤
公开日期: 2019-01-11 申请日期: 2018-08-07 公开号: CN109192722A

14. 一种生长在Si衬底上的(In)GaN纳米管及其制备方法与应用
华南理工大学
李国强; 徐珍珠; 张曙光; 高芳亮; 温雷; 余粤锋
公开日期: 2019-01-08 申请日期: 2018-09-29 公开号: CN109161850A

15. 生长在Ti衬底上的(In)GaN纳米柱及其制备方法与应用
华南理工大学
李国强; 徐珍珠; 张曙光; 高芳亮; 温雷; 余粤锋
公开日期: 2019-01-04 申请日期: 2018-09-29 公开号: CN109132997A

16. 一种LED倒装芯片及其制造方法
东莞中之光电股份有限公司
张万功; 尹梓伟; 李国强; 张曙光; 刘智崑; 王文樑; 郭康贤
公开日期: 2018-12-28 申请日期: 2018-09-03 公开号: CN109103316A

17. 生长在Al衬底上的(In)GaN纳米柱及其制备方法与应用
华南理工大学
李国强; 徐珍珠; 高芳亮; 张曙光; 温雷; 余粤锋
公开日期: 2018-12-18 申请日期: 2018-09-29 公开号: CN109037371A

18. 生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱及其制备方法
华南理工大学
李国强; 高芳亮; 张曙光; 徐珍珠; 余粤锋
公开日期: 2018-12-14 申请日期: 2018-06-30 公开号: CN109003883A

19. 提高石墨烯肖特基结太阳电池性能的复合减反膜、太阳电池及制备
华南理工大学
张曙光; 温雷
公开日期: 2018-11-13 申请日期: 2018-05-30 公开号: CN108807557A

20. 一种GaAs-锑烯异质结太阳电池及其制备方法
华南理工大学
张曙光; 温雷
公开日期: 2018-11-13 申请日期: 2018-05-30 公开号: CN108807584A
科研项目:
1. 表面等离激元增强GaAs基化合物太阳电池的光电转换效率
立项时间: 2015-2017 项目经费:240000

项目合作

合作意向:
技术咨询
在线客服 在线留言 小程序 公众号 4001789689 <<显示