潘新花 副教授 博士 浙江省 研究领域: 研究方向: · 半导体薄膜及器件 · 新型能源与传感材料 所在单位: 浙江大学

基本信息

所在单位:
浙江大学
机构细分:
材料科学与工程学院
单位类型:
高等院校
职务:
副教授
职称:
副教授
最高学历:
博士
专家介绍:
潘新花,工学博士,浙江大学材料科学与工程学院副教授,博士生导师。2010年6月于浙江大学材料科学与工程学系获工学博士学位,攻读博士学位期间以国家公派联合培养身份在美国密歇根大学进行合作研究13个月;随后在浙江大学硅材料国家重点实验室从事博士后研究工作;2012年7月出站留校,从事教学科研工作。2013年1月认定为第三批求是青年学者,同年12月评为副教授。

在半导体功能薄膜材料、ZnO基发光器件等方面展开深入研究,承担国家自然科学基金、浙江省自然科学基金、浙江省公益性技术应用研究计划项目等多个科研项目;以第一作者或通讯作者身份在材料物理领域国外重要学术期刊上发表SCI论文70余篇;授权国家发明专利20项。
专家荣誉:
2023.1  获浙江大学2022年度院级先进工作者
2021.6  获浙江大学材料科学与工程学院立德树人优秀个人
2021.1  获浙江大学2020年度院级先进工作者称号
2021.1  获2020年度佳博奖教金
2020.1  获浙江大学2019年度优秀研究生德育导师
2020.1  获2019年度佳博奖教金
2019.1  获2018年度华灿光电奖教金
2019.1  获2018年度材料科学与工程学院教职工院级先进称号
2013.1  浙江大学第三批求是青年学者
2010.6  浙江省优秀毕业生,浙江大学优秀毕业研究生
2009-2008  Corning研究生奖学金,浙江大学优秀研究生一等奖,浙江大学三好研究生
2008-2007  浙江大学研究生一等奖学金
2007.6  获国家留学基金委资助,公派访问美国密歇根大学
2007-2006  浙江大学研究生一等奖学金,浙江大学优秀研究生干部
2001-2005  每年获得吉林大学一等奖学金,院优秀学生

科研能力

研究方向:
· 半导体薄膜及器件
· 新型能源与传感材料
发明专利:
[20] 潘新花、张涛、王伟豪、叶志镇,一种p型二维合金化合物半导体光电场效应晶体管及其制备方法,专利号:201910539140.9,授权日:2020年11月13日
[19] 潘新花、王凤志、叶志镇,一种共聚合改性的层状石墨相氮化碳光催化剂及其制备方法和应用,专利号:201910888125.5,授权日:2020年11月17日
[18] 潘新花、王伟豪、吕斌、叶志镇,一种p型SnO/Ag肖特基结核壳结构纳米线沟道的多功能光电薄膜晶体管及其制备方法,专利号号:201710561987.8,授权日:2018年12月25日
[17] 潘新花、陆乔琦、王伟豪、叶志镇,一种基于纳米ZnO-rGO复合材料的光电导型紫外探测器及其制备方法,专利号:201611046887.3,授权日:2018年3月6日
[16] 潘新花、王伟豪、李晨旸、吕斌、叶志镇,一种Ag纳米线和ZnO纳米晶复合沟道的多功能光电薄膜晶体管及其制备方法,专利号:201610565701.9,授权日:2019年6月14日
[15] 潘新花、周宇嵩、吕斌、叶志镇,一种Cu:ZnO/N:rGO复合光催化剂的制备方法,专利号:201610072627.7,授权日:2018年1月26日
[14] 潘新花、王伟豪、戴文、叶志镇,一种ZnO纳米晶薄膜晶体管型紫外探测器的制备方法,专利号:201610018728.6,授权日:2017年5月31日
[13] 张宏海、吕斌、 潘新花、叶志镇、吕建国、黄靖云,一种非极性p-NiO/n-ZnO异质结构及其制备方法,发明专利(中国国家知识产权局),专利号:201310038167.2,授权日:2015年7月15日
[12] 叶志镇、陈姗姗、潘新花、黄靖云、吕斌,一种制备高质量ZnMgBeO薄膜的方法,专利号:201410661515.6,授权日:2017年11月24日
[11] 叶志镇、陈姗姗、潘新花、黄靖云、何海平、吕斌,一种制备高发光性能p型ZnO薄膜的方法,专利号:201410618510.5,授权日:2017年6月23日
[10] 吕斌、周婷婷、潘新花、叶志镇,p-NiO/n-ZnO异质结发光器件及其制备方法,专利号:201310139795.X,授权日:2016年5月18日
[9] 叶志镇、刘慧斌、黄靖云、何海平、张银珠、卢洋藩、蒋杰、李洋、潘新花,一种Na掺杂p型ZnO薄膜的制备方法,发明专利(中国国家知识产权局),专利号:201110342906.8,授权日:2013年4月24日
[8] 潘新花、丁萍、黄靖云、叶志镇,Na掺杂生长p型ZnO单晶薄膜的方法,发明专利(中国国家知识产权局),专利号:201110449769.8,授权日:2014年6月18日
[7] 潘新花、黄靖云、叶志镇、丁萍、吕斌,一种非极性ZnO基发光器件及其制备方法,发明专利(中国国家知识产权局),专利号:201110101585.2,授权日:2013年4月24日
[6] 丁萍、潘新花、黄靖云、叶志镇、吕斌,ZnO基发光器件的制备方法,发明专利(中国国家知识产权局),专利号:201110101601.8,授权日:2012年11月07日
[5] 叶志镇、潘新花,Si衬底上生长ZnO外延薄膜的方法,发明专利(中国国家知识产权局),专利号:ZL 200910153719.8,授权日:2011年11月30日
[4] 叶志镇、潘新花,一种ZnO基异质结及其制备方法,发明专利(中国国家知识产权局),专利号:ZL 200910152502.5,授权日:2011年2月16日
[3] 潘新花、叶志镇、潘晓晴,Si衬底上生长Zn1-xMgxO晶体薄膜的方法,发明专利(中国国家知识产权局),专利号:ZL 200910096793.0,授权日:2011年5月25日
[2] 叶志镇、潘新花、林均铭、朱丽萍、赵炳辉,Sb掺杂生长p型Zn1-xMgxO晶体薄膜的方法,发明专利(中国国家知识产权局),专利号:ZL 200710070938.0,授权日:2009年9月9日
[1] 叶志镇、潘新花,Sb掺杂的p型ZnO晶体薄膜的制备方法,发明专利(中国国家知识产权局),专利号:ZL 200710066967.X,授权日:2008年11月12日
科研项目:
2020.01-2023.12 国家自然科学基金面上项目,“非极性ZnO薄膜的跨层缺陷调控及光电性能优化”
2019.01-2019.12 浙江大学自主科研计划项目,“全ZnO基多量子阱带边短波发光器件研究”
2018.07-2023.06 横向课题,“半导体封装材料优质键合丝研发”
2017.01~2019.12 浙江省自然科学基金,“缓冲层与双成核层技术调控非极性ZnO薄膜缺陷研究”
2016.01~2016.12 浙江大学自主科研计划项目,“同价离子替位调控ZnO薄膜的p型掺杂研究”
2014.01~2016.12 国家自然科学基金青年基金项目,“硅基氧化锌薄膜生长中的复合缓冲层设计与同价离子替位辅助p型掺杂机理研究”
2013.01~2015.12 浙江省自然科学基金,“Na掺杂制备p型ZnO单晶薄膜及其稳定性研究”
2012.01~2013.12 浙江省公益技术应用研究项目,“硅衬底ZnO-LED优质芯片材料生长及器件研制”
2011.03~2012.06 中国博士后科学基金第四批特别资助,“基于新型缓冲层技术硅基高质量ZnO单晶薄膜在ZnO-LED器件中的应用基础研究”
2010.09~2012.06 第四十八批中国博士后科学基金(一等资助),“硅衬底ZnO基LED材料生长及器件研制”
2011.01~2012.12 中山大学光电材料与技术国家重点实验室开放课题,“硅衬底ZnO-LED优质芯片材料生长”

项目合作

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