研究方向：
1. 相变信息存储材料与器件
2. 阈值选通材料与器件
3. 异质结、超晶格材料
发明专利：
[1] 陈献、廖玉婷、饶峰、丁科元、钟小强、张俊康、游龙彬，一种Ge3Te7非晶碲化锗纳米颗粒的制备方法，ZL202411507696.7。
[2] 丁科元、车勇勇、饶峰、陈彬、刘建彬，一种相变异质结薄膜、相变存储器及其制备方法，ZL202210900323.0。
[3] 丁科元、饶峰，相变超晶格材料及其相变存储器单元，ZL202110755173.4。
[4] 丁科元、饶峰、刘建彬、李天赐，多层相变薄膜及其相变存储器单元的制备方法，ZL202110754391.6。
[5] 宋志棠、丁科元、成岩，相变存储器单元及其制备方法，ZL201710215955.2。
[6] 丁科元、饶峰、王勇、宋志棠，用于相变存储器的相变材料及其制备方法，ZL201510697470.2。
科研项目：
1. 国家自然科学基金面上项目，《高性能阈值选通异质结材料与器件研究》，2023.01-2026.12。
2. 广东省基础与应用基础研究基金自然科学基金项目（杰出青年项目），《基于新型相变异质结的低功耗相变存储器研究》，2022.01-2025.12。
3. 广东省普通高校重点领域专项项目，《高存储密度相变异质结及其机理研究》，2022.01-2024.12。
4. 国家自然科学基金青年基金项目，《缓存型新型相变异质结结构及其机理研究》，2021.01-2023.12。
5. 深圳市基础研究面上项目，《新型高速可逆相变存储材料及机理研究》，2020.06-2023.05。
丁科元
广东省
研究领域：
研究方向：
1. 相变信息存储材料与器件
2. 阈值选通材料与器件
3. 异质结、超晶格材料
所在单位：
深圳大学
