罗宏伟，电子元器件质量和可靠性研究领域的资深专家、中国电子学会高级会员、IEEE会员、广东省/广州市科技专家库专家、元器件自主可控工作专家组成员、科技部国际科技合作计划评价专家、工业和信息化部工程系列高级专业技术职务任职资格评审委员会质量与可靠性专业分评委会委员、国家科学技术奖励评审专家、工业和信息化部两化深度融合专项专家库专家、华南理工大学、广东工业大学、中南大学、西安电子科技大学兼职硕士导师《电子与封装》杂志编委，享受国务院特殊津贴，现任工业和信息化部电子第五研究所元器件检测中心主任，主要从事电子元器件及集成电路的失效模型/失效机理分析、可靠性试验和评价、可靠性设计及电子元器件检测等方面的工作。

先后主持或承担国家预研、重点实验室基金、共性、国家重大专项、省市重大科技计划等研究课题三十余项。国内首次系统的建立了针对VLSI电路主要失效机理的可靠性设计方法，其中EDS/EOS的加固设计与TLP测试验证技术达到国外先进水平，为国内元器件可靠性设计探索出一条新的技术途径；国内率先建立了千万门级FPGA、多核异构SoC等高端芯片检测评价平台，提出了综合性能评价模型、基于抛物协调合成的单元函数设计、跨时钟域极限摸高测试等基础理论及关键技术，整体技术水平国内领先，解决了行业领域高端芯片应用评价难等问题。在国内外核心刊物上发表学术论文60余篇，参与编写出版了电子元器件检测、试验、可靠性与失效分析方面书籍6本，主持完成译著1本，获得电子学会科技进步二等奖1项；授权国家发明专利10余项，受理国家发明专利20余项；主持完成场效应晶体管、电子元器件、电阻器、二极管、光电耦合器等5项行业标准，参与编制国际标准1项。

（1）国产先进器件XX可靠性保证技术创新团队，2018年12月，中国电子学会科技创新团队奖；
（2）集成电路专业化测试公共服务平台，2017年12月，中国电子学会科学技术奖三等奖；
（3）VDSM CMOS电路ESD EOS加固设计与验证技术研究，2015年12月，省部级科技三等奖；
（4）XX用MCM/HIC电路抗辐射能力评价技术，2011年12月，省部级科技二等奖；
（5）GaAa微波单片电路（MMIC）失效机理分析与控制技术，2008年12月，省部级科技进步二等奖；
（6）已知良好芯片（KGD）可靠性保证技术研究，2007年12月，省部级科技进步三等奖。