新能源,精细化工

面向3D-IC先进制程的X射线光刻与器件计量技术
1. X 射线光刻：先进芯片图形化定义的终极制造方法（曝光与刻蚀）
1）极紫外EUV光刻胶的新合成方法与表征技术
2）极紫外EUV/短波长X射线EUV/X射线掩模制造与掩模缺陷检测新方法及设备研制
3）用于EUV/X射线信号探测的超灵敏探测器的MEMS制造与电路系统集成
2. 3D-IC异质/异构集成：多功能器件与系统构架的终极融合平台
1）3D-IC异质异构新原理存储器件的设计、加工以及物性调控
2）异质异构3D-IC器件界面的超快界面表征与缺陷检测新方法及设备研制
3）面向3D-IC异质异构器件的单片多模态器件三维异质集成
3. X 射线计量：先进芯片内部结构的终极透视工具
1）X射线原位、超快、元素分辨表征新方法与仪器设备研制
2) 超高分辨的X射线nano-CT与X射线散射/衍射新方法学及设备研制
3）X射线与光谱学联用技术与装备在3D-IC异质异构界面缺陷表征与先进封装中的应用

5. Xinkun Wang et al, Positive and Negative Dual-Type Hafnium-Based Hybrid Dry Photoresist for Nanolithography, Applied Materials & Interfaces, Accepted, 2026.
4. Xiang Gao, Shuo Dong, Xiaolong Wang, Tong-Huai Cheng,* Shixin Sun, Muhan Tang, Kaidong Xu,* Feng Luo*, Scalable Wafer-Level Fabrication of Slanted TiO2 Gratings for Directional Visible Light Control, Nano Letters, Accepted, 2025.
3. Qiao, Yang; Li, Changliang; Yan, Fengbo; Liu, Zhaochao; Wang, Xingkun; Xie, Jianan; Shi, Guangyue; Wei, Jian; Zhao, Jun; Zhang, 6.Lei*; Luo,Feng*, Synergistic Enhancement Effects of Heterogeneous Isomorphism Clusters in Response to Irradiation: Sub-10 nm Nanolithography and Nanoscale Etching Transfer, Nano Letters, Accepted, 2025.
2. Xingkun Wang, Taoli Guo, Yiyang Shan, Ou Zhang, Hong Dong, *, Jincheng Liu, *, Feng Luo*, An aluminum-based hybrid film photoresist for advanced lithography by molecular layer deposition，Journal of Materials Chemistry C, Accepted, 2024.
1. Yang Qiao, Guangyue Shi, Ou Zhang, You Li, Michaela Vockenhuber, Yasin Ekinci, Feng Luo* and Lei Zhang*, Heterometallic Ti-Zr Oxo Nanocluster Photoresists for Advanced Lithography, Science China Materials, Accepted, 2024.

已授权发明/实用新型专利：
01）2020113484323：一种可用于选区原子层沉积的微纳加工方法
02）2021102715297：一种适用于粉末样品的原子层沉积装置、沉积方法
03）2022114741174：集成电路制程中晶圆处理的超临界干燥清洗设备及方法
04）2024100044817：一种HZO铁电材料的制备方法
05）2023214657526：一种基于石墨烯电极的电光调制器（实用新型）
06）2023115445651：一种使用分子层沉积制备晶圆级铝基-丁烯二醇干式光刻胶的方法
07）2025101889463：一种多层 EUV 光刻胶的制备方法
08）2023110364446：一种带隙基准电流源、低压差线性稳压器及电源管理器
已受理发明专利：
01）2023101715941：一种直传模式数字隔离器及接收机
02）2023101806404：一种降压稳压电路、稳压器、电源管理器及嵌入式系统
04）2023112053437：一种基于CVD 的新型低功耗MnTe/Cr1-xTe异质结的制备方法
05）2022104963934：一种基于CVD和ALD配合使用制备磁性隧道结器件的方法和应用
06）2023114822852：一种基于溶液辅助旋涂法的超薄原子级平整Ga2O3薄膜的制备方法
07）2023114824152：一种原位制备Cr1-xTe晶态-非晶异质结的方法
08）2025102607549：一种基于分子层沉积技术制备晶圆级纳米压印光刻胶的方法
09) 2025112240466: 一种富Cr 的多相六元非贵金属高熵合金及其制备方法
10）2024109410556：一种使用分子层沉积制备晶圆级干式光刻胶的方法
12）202410339198X ：一种用于基因测序双层孔结构纳米压印模板制造及压印方法
13）2022114464256：一种原子层、分子层沉积设备及沉积方法
14）2022116562145 ：一种晶圆表面量测设备、检测方法及应用
15）2024109265213：一种高亮度X射线源阳极靶
16）2024103600862：一种背反式单色化X射线源装置及其使用方法
17）2024102527802：一种面扫型瞬态光电检测系统
18）2024102527817：一种循环测试控制装置
19）202210791870X：定向中子探测器、探测方法
20）2022112534377：平面内中子放射源精确定位方法、定位装置
21）2022112537464：基于空地协同的中子源探测定位方法、定位装置
22）2022112534235：面排列式阵列中子探测定位装置、定位方法
23）2022112534112：中子放射源快速定位装置、定位方法
24）2022112534127：线排列式阵列中子探测定位装置、定位方法
25）2023112416483：线形高通量电子/离子能谱表面分析,量测仪器和方法
26）2025101426527：一种用于缓解泊松效应的芯片封装结构及其加工方法
27）2023115702523：一种在亚铁磁合金中获得手性耦合的方法
28）2025104437792：一种钕铁硼永磁材料电镀工艺
29）2025104437773：一种降低钕铁硼永磁材料氢含量的方法
30）2025103815394：一种易于晶界扩散的烧结钕铁硼磁体及其制备方法
31）2025103908350：一种高矫顽力高稳定性的含铈钕铁硼磁体及其制备方法
32）2025109852861：一种双激光驱动的超快X 射线瞬态吸收谱仪

半导体装备与量检测方向：
1.基金委重大仪器部门推荐“宽禁带半导体异质异构界面的原位监测与调控实验装置”，2026-2030，模块2任务负责人，直接经费1755.8万。
2.科技部重点研发专项面向Sub-7nm 先进工艺节点集成电路核心器件的同步辐射表征技术及应用，2022-2026，445.6万/1850万，课题负责人。
3.科技部重点研发专项生物纳米孔基因测序仪，2022-2024，207万/4000万（2000万公司匹配），课题参与。
4.横向课题，2023-2023，220万，课题负责人。
EUV光刻胶方向：
5.嵌段共聚物界面协同缺陷修复研究 (EUV+DSA)，上海市科委, 100万,负责人,2025.10-2027.09.
6.华为-南开金属团簇型图案化材料技术合作项目, 2023-, TC20230602062，项目参与。
7.基金委重大项目非常规激发染料的构效调控及产品工程科学基础，2021-2024，100万，EUV光刻胶课题参与。

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