半导体材料及器件

[1]招瑜，张心阔，雷泽宏，中国发明专利，一种金纳米颗粒二维材料表面拉曼增强衬底及其制备方法和应用，授权公告日：2025.07.15，申请号：2022111293602
[2]招瑜，黄宝权，刘俊，魏爱香，中国发明专利，一种在云母衬底上制备二维碲单晶的方法，授权公告日：2022.04.22，申请号：202110767095X
[3]招瑜，温如春， 魏爱香， 刘俊， 肖志明，中国发明专利，一种在石英片基底上制备二维硒化钨规则层状薄片的方法，授权公告日：2021.02.12, 申请号：ZL2018102658767
[4]招瑜; 张梦龙; 李京波，中国发明专利，一种边发射半导体激光器件及其制造方法，授权公告日：2020.06.02, 申请号：ZL2017102413661
[5]招瑜, 庞洲骏, 魏爱香, 李京波, 刘俊, 肖志明, 温如春, 陈镇海, 中国发明专利，一种单层石墨烯构筑的三维多孔石墨烯薄膜的制备方法, 授权公告日：2020.02.07, 申请号：ZL201611191949X
[6]招瑜, 温如春, 庞洲骏, 陆健婷, 魏爱香, 刘俊, 肖志明, 李京波, 中国发明专利，一种在FTO衬底上制备二硒化钨半导体薄膜的方法及其应用, 授权公告日：2019.10.18, 申请号：ZL2017104689905
[7]招瑜, 梁涛恩, 张宏俊, 苏子豪, 周磊, 李京波, 杨亿斌, 肖也, 王培星, 中国发明专利，一种基于相变材料的发光二极管温度报警器, 授权公告日：2019.08.09, 申请号：ZL201611191931X
[8]招瑜; 庞洲骏; 魏爱香; 李京波; 刘俊; 肖志明; 温如春; 陈镇海, 中国发明专利，一种铜锌锡硫和三维石墨烯的复合薄膜的制备方法及应用, 授权公告日：2019.1.22, 申请号：ZL201611191492.2
[9]招瑜; 庞洲骏; 魏爱香; 刘俊; 肖志明, 中国发明专利，一种发光二极管的结温测量方法及应用, 授权日：2018.06.12, 申请号：ZL2015107426141
[10]招瑜，刘俊，魏爱香，中国发明专利，一种发光二极管封装结构，授权日：2017.03.29，申请号：ZL201410008044.9

[1] 二维非层状金属硫族化合物的范德瓦尔外延生长及其photogating效应，国家自然科学基金面上项目，2020.01-2023.12；
[2] 光子晶体发光二极管的光操控设计与实验研究，国家自然科学基金青年基金，2013-01-01至2015-12-31;
[3] 基于动量匹配设计的二维材料隧穿异质结场效应晶体管的研究，广东省自然科学基金面上项目，2024.01-2026.12；
[4] 广州市珠江科技新星，2017-05-01至2020-04-30；
[4] 基于相变材料封装的发光二极管关键技术及其光热特性研究，广东省科技发展专项资金（公益研究与能力建设方向），2016.01-2018.12
[5] 广东工业大学第三批“培英育才计划”培养对象（科研第二层次），2017-07-01至2021-06-31；
[6] 光子晶体发光二极管中的光学操控设计与研究，广东省自然科学基金项目，2012-10-01至2014-09-30；
[7] 光子晶体发光二极管的光学特性研究，广东省教育厅育苗工程项目，2012-12-01至2014-11-30。

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