磷化铟

Cas：

22398-80-7

英文名：

indium phosphide

中文别名：

磷化铟(III);

英文别名：

MFCD00016153; polycrystallinelump; INDIUM(III) PHOSPHIDE; Indium phosphide (InP); EINECS 244-959-5; Phosphinidyneindium(III); InP; indiummonophosphide; Indiumphsophidewafer; Indium phosphide wafer; Indium(III) phosphide; Indiumphosphidepolycrystallinelump; Indiumphosphidemetalsbasispiecesanddownblack; Indium phosphide (99.999%-In) PURATREM; phosphanylidyneindium; indium,phosphorus

密度：

4,787 g/cm3

沸点：

熔点：

1070°C

分子式：

H2InP

分子量：

147.80800

闪点：

精确质量：

147.89300

PSA：

LogP：

0.32580

外观性状：

pieces

蒸汽压：

折射率：

储存条件：

保持贮藏器密封放入紧密的贮藏器内，储存在阴凉，干燥的地方

水溶解性：

稳定性：

1.如果遵照规格使用和储存则不会分解避免接触氧化物，酸。极微溶于无机酸。介电常数：108。电子迁移率：约4600　cm2/V·s。空穴迁移率：约150　cm2/V·s。具有半导体的特性。 2.它有较高的极限速度，所以，ＩｎＰ高频器件的工作极限频率比ＧａＡｓ更高，电子扩散速率与电子迁移率之比小于ＧａＡｓ，故更利于制作低噪声器件。

分子结构：

计算化学：

1.疏水参数计算参考值（XlogP）:无 2.氢键供体数量:0 3.氢键受体数量:0 4.可旋转化学键数量:0 5.互变异构体数量:无 6.拓扑分子极性表面积0 7.重原子数量:2 8.表面电荷:0 9.复杂度:10 10.同位素原子数量:0 11.确定原子立构中心数量:0 12.不确定原子立构中心数量:0 13.确定化学键立构中心数量:0 14.不确定化学键立构中心数量:0 15.共价键单元数量:1

1.性状：单晶呈银灰色，质地较软 2.密度（g/mL,25/4℃）：未确定 3.相对蒸汽密度（g/mL,空气=1）：未确定 4.熔点（ºC）：1600 5.沸点（ºC,常压）：未确定 6.沸点（ºC,5.2kPa）：未确定 7.折射率：未确定 8.闪点（ºC）：未确定 9.比旋光度（º）：未确定 10.自燃点或引燃温度（ºC）：未确定 11.蒸气压（kPa,25ºC）：未确定 12.饱和蒸气压（kPa,60ºC）：未确定 13.燃烧热（KJ/mol）：未确定 14.临界温度（ºC）：未确定 15.临界压力（KPa）：未确定 16.油水（辛醇/水）分配系数的对数值：未确定 17.爆炸上限（%,V/V）：未确定 18.爆炸下限（%,V/V）：未确定 19.溶解性：极微溶于无机酸

蒸汽密度：

凝固点：

燃点：

分子量：

147.80800

InChI：

InChI=1/In.P

EINECS号：

244-959-5

产品用途：

危险性标志：

风险术语：