锑化镓

Cas：

12064-03-8

英文名：

gallanylidynestibane

中文别名：

英文别名：

MFCD00016101; EINECS 235-058-8; Gallium antimonide; GALLIUM ANTIMONIDE,POLYCRYST; Antimony, compd. with gallium (1:1); Gallium antimony (GaSb); stibanylidynegallium; gallium antimony

密度：

5.62 g/mL at 25 °C(lit.)

沸点：

熔点：

980ºC(lit.)

分子式：

GaH2Sb

分子量：

193.49900

闪点：

精确质量：

191.84500

PSA：

LogP：

外观性状：

pieces

蒸汽压：

折射率：

储存条件：

常温密闭，阴凉通风干燥

水溶解性：

稳定性：

常温常压下稳定避免的物料氧化物酸碱锑化镓单晶的重要特征是无论用什么方法制备，室温下最高纯度的锑化镓单晶总是Ｐ型，其机理尚不完全清楚，一种主要观点认为是由过剩Ｓｂ空位造成的。它的价带自旋轨道的分裂可以得到空穴离化系数增大的能级，可改善长波长雪崩光电探测器（ＡＰＤ）的信噪比。由于ＧａＳｂ单晶的临界屈服应力较大（１５．８Ｎ／ｍｍ２），故其位错密度不高（不超过１０３数量级），适于制作ＧａＩｎＳｂ／ＧａＡｌＡｓＳｂ激光器、ＧａＩｎＡｓＳｂ探测器和ＧａＡｓ／ＧａＳｂ叠层太阳电池（转换效率超过３０％）。

分子结构：

计算化学：

1.疏水参数计算参考值（XlogP）:无 2.氢键供体数量:0 3.氢键受体数量:0 4.可旋转化学键数量:0 5.互变异构体数量:无 6.拓扑分子极性表面积0 7.重原子数量:2 8.表面电荷:0 9.复杂度:10 10.同位素原子数量:0 11.确定原子立构中心数量:0 12.不确定原子立构中心数量:0 13.确定化学键立构中心数量:0 14.不确定化学键立构中心数量:0 15.共价键单元数量:1

1. 性状：类似锗的化合物型半导体，灰白色，立方晶系闪锌矿型结晶。 2. 密度（g/mL,25℃）：5.61 3. 相对蒸汽密度（g/mL,空气=1）：未确定 4. 熔点（ºC）：706 5. 沸点（ºC,常压）：未确定 6. 沸点（ºC，1mmHg）：未确定 7. 折射率：未确定 8. 闪点（ºC）：未确定 9. 比旋光度（º）：未确定 10. 自燃点或引燃温度（ºC）：未确定 11. 蒸气压（20ºC）：未确定 12. 饱和蒸气压（kPa,60ºC）：未确定 13. 燃烧热（KJ/mol）：未确定 14. 临界温度（ºC）：未确定 15. 临界压力（KPa）：未确定 16. 油水（辛醇/水）分配系数的对数值：未确定 17. 爆炸上限（%,V/V）：未确定 18. 爆炸下限（%,V/V）：未确定 19. 溶解性：不溶于水

蒸汽密度：

凝固点：

燃点：

分子量：

193.49900

InChI：

InChI=1/Ga.Sb/q+3;

EINECS号：

235-058-8

产品用途：

危险性标志：

风险术语：