氧化铟/纳米氧化铟

Cas：

1312-43-2

英文名：

Indium Oxide

中文别名：

氧化铟(III); 纳米氧化铟; 三氧化二铟; 氧化铟;;

英文别名：

Diindium trioxide,Indium sesquioxide,Indium(III) oxide; Indium(III) oxide; MFCD00011060; EINECS 215-193-9; Diindium trioxide,Indium sesquioxide; Diindium trioxide Indium sesquioxide; Indium oxide; Diindium trioxide; _x005f ; indium(+3) cation; oxygen(-2) anion; oxo-oxoindiganyloxy-indigane

密度：

7.18

沸点：

850ºC

熔点：

2000ºC

分子式：

In2O3

分子量：

277.634

闪点：

精确质量：

277.792511

PSA：

43.37000

LogP：

外观性状：

白色至淡黄色粉末

蒸汽压：

<0.01 mm Hg ( 25 °C)

折射率：

储存条件：

保持贮藏器密封、储存在阴凉、干燥的地方，确保工作间有良好的通风或排气装置

水溶解性：

稳定性：

在氢气或其他还原剂存在下，加热至400～500℃可还原成金属铟或低价铟的氧化物。在高温下分解为低级氧化物。另外，在高温下可与金属铟发生如下反应： 1/3 In2O3+4/3 InIn2O 低温灼烧生成的In2O3虽易溶于酸，但经过高温处理得越完全就越难溶，吸湿性也消失了。三氧化二铟在赤热状态下用氢气还原时，则生成金属铟。

分子结构：

1、摩尔折射率：无可用的 2、摩尔体积（cm3/mol）：无可用的 3、等张比容（90.2K）：无可用的 4、表面张力（dyne/cm）：无可用的 5、介电常数：无可用的 6、极化率（10-24cm3）：无可用的 7、单一同位素质量：277.7925 Da 8、标称质量：278 Da 9、平均质量：277.6342 Da

计算化学：

1.疏水参数计算参考值（XlogP）:无 2.氢键供体数量:0 3.氢键受体数量:3 4.可旋转化学键数量:0 5.互变异构体数量:无 6.拓扑分子极性表面积3 7.重原子数量:5 8.表面电荷:0 9.复杂度:0 10.同位素原子数量:0 11.确定原子立构中心数量:0 12.不确定原子立构中心数量:0 13.确定化学键立构中心数量:0 14.不确定化学键立构中心数量:0 15.共价键单元数量:5

1.性状：白色或淡黄色无定型粉末，加热转变为红褐色。 2.密度（g/mL,25℃）：7.179 3.熔点（ºC）：2000 4. 蒸气压（mmHg,25ºC）：<0.01 5. 溶解性：不溶于水，溶于热的无机酸

蒸汽密度：

凝固点：

燃点：

分子量：

277.634

InChI：

InChI=1/2In.3O/rIn2O3/c3-1-5-2-4

EINECS号：

215-193-9;235-765-1

产品用途：

用作光谱纯试剂和电子元件的材料等