聚酰亚胺光刻胶

成果介绍：研制的聚酰亚胺光刻胶光刻后光刻线尺寸与掩膜线尺寸相切合，且边界清晰，光刻过程没有发生热聚合，工艺条件与光敏聚酰亚胺相对匹配。光刻工艺还待进一步优化选择，包括前后烘烤时间和温度，曝光光强和时间等条件显影液极性还需要调节，还需要进一步研制与光敏聚酰亚胺完全匹配的显影体系。光刻后不留底膜，薄膜厚度小于100 um，光刻后上下口宽度差不超过线宽的1/5。图1 聚酰亚胺光刻胶实施案例：光刻胶广泛应用于集成电路，封装，微机电系统，光电子器件光子器件，平板显示器，太阳能光伏等领域，德国ALLRESIST公司是从事光刻用电子化学品研发、生产和销售的专业公司。